文章摘要:为提升现代单极型功率二极管的性能，进一步突破“硅极限”，通过加大传统JBS二极管中P⁺区结深，引入超级结结构以减薄芯片厚度，缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾，提高单位面积器件的导通电流密度。本文使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性，反向阻断特性的影响，应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理，设计了一款300V的超级结JBS二极管。

文章关键词:超级结,JBS二极管,正向导通特性,反向阻断特性,电场耦合效应,

论文作者:刘勇 关艳霞 

作者单位:沈阳工业大学信息科学与工程学院 

论文分类号: TN311.7

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